英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V

作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓 (GaN) 凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个 300mm 氮化镓 (GaN) 功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业，进一步推动了 GaN 市场快速增长。

目前，英飞凌全新一代的氮化镓产品 CoolGaN™ G3 和 CoolGaN™ G5 系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能 200mm 晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到 40V 至 700V！

CoolGaN™ G3 中压晶体管

CoolGaN™ G3 系列覆盖 60V、80V、100V 和 120V 电压等级，以及 40V 双向开关 (BDS) 器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

CoolGaN™ G5 高压晶体管

CoolGaN™ G5 系列基于 GIT (Gate Injection Transistor，栅注入晶体管)技术推出新一代 650V 晶体管，以及基于 G5 的 IPS 驱动产品，适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。

产品特性

1. 拥有出色的软开关和硬开关性能，提供 40V、650V 和 850V 电压的 CoolGaN™ 双向开关 (BDS)。

• CoolGaN™ BDS 650V 和 850V：采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。通过使用一个 BDS 代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本
• CoolGaN™ BDS 40V：基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关，能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET
• 相比背对背硅 FET，使用 40V GaN BDS 的优点包括节省 50%-75% 的 PCB 面积、降低 50% 以上的功率损耗，以及减少成本
• 目标应用和市场涵盖移动设备 USB 端口、电池管理系统、逆变器和整流器等

2. 具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗的 CoolGaN™ 智能感应 Smart Sense。

• 2kV 的静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护
• 电流检测响应时间约为 200ns，小于等于普通控制器的消隐时间
• 具有极高的兼容性
• 目标应用和市场涵盖消费电子设备的充电器和适配器

 下图 (图3) 为英飞凌新产品供货期，与英飞凌一起，再次推动氮化镓革命！